名古屋大學成功運用溶液成長法製造6吋p、n型SiC晶圓

長年投入功率半導體的名古屋大學，日前宣布成功運用溶液成長法，製造出6吋p型SiC晶圓及6吋、8吋的n型SiC晶圓。溶液成長法 (Solution Growth Method)】是一種將溶劑中溶解的溶質析出到種晶上使其結晶成長的方法，原理上可以培育出缺陷較少的高品質單晶，但由於SiC在金屬溶液中的溶解度非常低使得長晶速度極慢，又容易因溶質濃度差異而出現長晶速率不均、表面不平整的現象，故用於大尺寸SiC長晶有所困難。

名古屋大學團隊先是在2019年發現6吋晶體成長的條件，再和iCrystal透過高速模擬、分析，找出溫度場、濃度場和流場的最佳控制方針和最佳條件，也與UJ-Crystal、Qxide等機構合作投入研究晶體成長配方、晶體量產培育等。過去SiC晶圓使用的昇華法因難以控制摻雜劑（n型摻氮、p型摻雜鋁），而此次成果是邁向下世代超高耐壓IGBT所需之高品質p型SiC晶圓的重要一步。

資料來源：名古屋大學（2025年9月25日）

【來源/出處】