日本公司研發出可縮短GaN研磨時間的耐強酸研磨墊

近年能夠耐受高電壓、大電流的GaN半導體備受關注與期待。由於GaN質地非常堅硬且易碎，其晶片的研磨加工並不容易，通常也花費比較長的時間。為此，雖然業界投入在pH1~2的強酸環境中研磨，以期縮短研磨的時間，但研磨墊普遍會因無法承受強酸而出現劣化。此外，傳統的研磨方式是將研磨漿料流到研磨墊表面進行研磨，但研磨漿料在使用後會成為工業廢棄物，也需要設法減少其用量。

位於名古屋的設備、材料業者Noritake株式會社日前宣布完成GaN晶片專用研磨墊的研發。Noritake採用了耐酸樹酯（有機物）包覆研磨劑（無機物），有效地降低墊片的磨損，且即使墊片磨損，只要將其表面削平仍可持續發揮研磨性能，顯著延長了使用壽命。也因為得以在強酸中研磨，加工時間縮短30倍的同時研磨漿料的使用量也隨之減少。Noritake新開發的研磨墊中更含有研磨劑，因此還可不添加研磨漿料。

資料來源：Noritake（2025年8月20日）

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