東北大學開發異質材料整合製程之低溫中空微凸塊技術

隨著近年先進封裝領域技術的發展，鍵合不同材料的技術變得非常重要，而因為傳統「打線接合」（wire bonding）的空間受到壓縮，故需要樹簽署萬個「微凸塊」（Microbump）來創造更多較短的電子訊號垂直連接路徑，來提升晶片的速度和性能。

在此之上，東北大學的研究團隊，投入在低溫150℃條件下製造微凸塊的技術，以避免300℃高溫造成材料受熱後產生無法回復的損傷和內部殘留應力，進而導致集中於微凸塊尖端的應力損壞基板。研究團隊先是透過數值模擬結構（有限元素模擬法）時發現中空的微凸塊比起既有的實心微凸塊更能有效地降低接合時應力的集中現象。製造中空微凸塊的製程工序先要準備鍍有金屬薄膜的模板，再以氬氣(Ar)離子束去除吸附於金屬薄膜表面的分子、使表面活性化（表面活化接合，Surface-activated Bonding），再施加重量使兩層金屬薄膜密切接觸、產生金屬鍵合，最後再移除上方模板留下被轉印的金屬微凸塊和薄膜。

資料來源：東北大學（2025年8月28日）

【來源/出處】