開發新記憶單元容量為DRAM的10倍以上

日本東北大學的大野英男教授等利用電子磁石的特性，開發可儲存的新記憶單元「STT―MRAM」。與智慧型手機等的運算元件做組合，以電流改變磁石方向改寫資訊紀錄方式，可在高速運算中保存資訊，比起一般手機終端裝置、電腦內的DRAM記憶體容量高出10倍以上，並具有節省能源的功用。未來與企業合作預計於5年後完成商品化之目標。

資料來源：日本經濟新聞（2018-02-17）
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