DNP達成EUV光刻用光罩2奈米世代及往後微細圖案的解析

大日本印刷株式會社（DNP）實現了針對半導體製造中，最先進製程的極紫外光EUV光刻技術在2奈米世代以及往後更細微的圖案的解析。此外，DNP也完成2奈米及下世代半導體所適用之高孔徑（High-Numerical Aperture）EUV光刻積光罩的基礎評估，開始向研發聯盟、設備製造商、材料製造商等提供評估用光罩。高孔徑High-NA技術能在矽晶圓上刻出更高解析度的圖案。DNP已於2023年完成3奈米世代EUV光刻用光罩製程的開發。2024年DNP作為Rapidus的再委託者參與了NEDO的「Post 5G資訊通訊系統基盤強化研究開發事業」計畫，投入開發最先進製程之邏輯半導體用光罩的製造技術。

相比3奈米，2奈米世代以後的EUV光罩需要將圖案縮小20%以上。DNP在掌握的3奈米用光罩技術基礎上不斷進行改善，為了滿足High-NA EUV用光罩所需的精度，DNP也建構了與一般EUV用光罩不同的光罩製程並優化之。DNP今後將繼續推進提高良率等生產技術，並計劃於2027年度開始提供2奈米世代邏輯半導體用的量產光罩。此外，DNP將繼續與比利時的imec合作，開發針對1奈米世代的光罩製造技術。

資料來源：大日本印刷株式會社（2024年12月12日）
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