開發新記憶單元容量為DRAM的10倍以上2018-03-20/0 評論/在: 不分類日本東北大學的大野英男教授等利用電子磁石的特性,開發可儲存的新記憶單元「STT―MRAM」。與智慧型手機等的運算元件做組合,以電流改變磁石方向改寫資訊紀錄方式,可在高速運算中保存資訊,比起一般手機終端裝置、電腦內的DRAM記憶體容量高出10倍以上,並具有節省能源的功用。未來與企業合作預計於5年後完成商品化之目標。 資料來源:日本經濟新聞(2018-02-17) 【原文/出處】 Post Views: 489 https://tnst.org.tw/wp-content/uploads/2022/02/20180320_04_開發新記憶單元容量為DRAM的10倍以上(圖/源自出處).jpg 465 747 tnstinfo /wp-content/uploads/2021/09/TNST_LOGO_grey.png tnstinfo2018-03-20 09:45:482022-02-07 09:47:54開發新記憶單元容量為DRAM的10倍以上
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