日本東京工業大學與NTT合作：首次實現能在300GHz帶域通訊的發射器

東京工業大學與日本NTT的研究團隊近日宣布，首次成功實現能夠在兆赫波帶域中進行通訊的主動相位陣列發射器（Active Phased Array transmitter），並將發射器中的天線和功率放大器等組件，都放在CMOS積體電路中，不僅可以降低成本且大規模生產矽氧樹脂CMOS製程晶片，也有望作為300GHz帶域的無線傳輸設備大幅推進100Gbps之上的次世代無線通訊系統。

該主動相位陣列發射器採用65奈米的矽氧樹脂CMOS製程進行設計，並且，該團隊針對基本的電晶體配置進行了新的優化，成功設計出在300GHz帶域中使用的功率放大器，並以其直接驅動晶片上的天線的最終放大器。此外，該團隊還針對次諧波電子混流器、相位檢測器和帶有4倍頻器的LO電路進行改進，成功地將其尺寸縮小到原來的五分之一，將四個系統的發射電路，集結於一個3.8mm×2.6mm的晶片中。

未來該團隊將進一步深入研究，致力於開發更多積體電路的大規模主動相位陣列發射器。透過發射器實現長距離的超高速無線通訊，並透過部署300GHz帶域的基地台，未來將有助於推動6G高速無線系統的普及。

資料來源：RobotStart新聞（2024-02-22）
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